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390032 產(chǎn)品規(guī)格書
390032 產(chǎn)品規(guī)格書
產(chǎn)品信息
DKDP 電光Q開關(guān)單晶 Dia.25x32mm3

產(chǎn)品編號:390032
產(chǎn)品描述
磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學損耗低,消光比高,電光性能好。通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體(DKDP)利用其縱向效應(yīng)制成電光調(diào)Q 開關(guān),適合用于脈沖固體激光器、低重復(fù)頻率條件時激光美容與激光醫(yī)療等領(lǐng)域,但是因為DKDP 晶體電光應(yīng)用的缺點是四分之波電壓比較高,1KHz 以上有振鈴效應(yīng),我們可提供DKDP 電光調(diào)制器、DKDP 單晶、雙晶電光開關(guān)等產(chǎn)品。因DKDP 晶體本身的易潮解性以及機械性能較差,建議使用時需注意在以下操作環(huán)境下使用:溫度操作范圍:10~50 度,溫度變化每20 分鐘不宜超過5 度,環(huán)境濕度:<40% ,盡量搭配濕度控制裝置(干燥器皿及干燥劑)使用,不使用時請存儲于干燥箱內(nèi)。
注:由于DKDP 普克爾盒所需施加的四分之一波長電壓和半波電壓與溫度有關(guān),在1064nm 波長下,四分之一波長電壓隨溫度變化的規(guī)律是溫度每升高1oC,所需四分之一波長電壓升高約50V。即,dV/dT 約為+50V/ oC 。
規(guī)格參數(shù)
通光孔徑 10mm
晶體尺寸 Dia.10x20mm3
外殼尺寸 Dia.25x32mm3
λ/4電壓 (@ 1064 nm) 3.2kV
電容 5pF
透過率 >98.5%
使用波長 1030nm-1064nm
損傷閾值,10ns 10Hz 1064nm 350MW/cm2
消光比 1000:1
光學元件表面清潔方法

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關(guān)于產(chǎn)品

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